真空鍍膜設(shè)備的薄膜制作過程，簡單來說就是將一種材料(薄膜材料）轉(zhuǎn)移到另一種材料(基底)的表面，形成和基底牢固結(jié)合的薄膜的過程。所以，任何的真空鍍膜薄膜制作方法都包括:源蒸發(fā)、遷移和凝聚三個重要環(huán)節(jié)。
一、鍍膜蒸發(fā)源

“源"的作用是提供鍍膜的材料（或被鍍材料中的某種組分)。通過物理或化學(xué)的方法使鍍膜材料成為氣態(tài)物質(zhì)。

二、遷移過程

遷移過程都是在氣相中進(jìn)行的，在氣態(tài)物質(zhì)遷移時，為了保證膜層的質(zhì)量，一般都是在真空或惰性氣氛中進(jìn)行，并施加電場、磁場或高頻等外界條件來進(jìn)行活化以增加到達(dá)基底上的氣態(tài)物質(zhì)的能量，提供氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)的能量，即提供氣態(tài)物質(zhì)反應(yīng)的激活能。

三、凝膜

薄膜在基底上的形成過程是一個復(fù)雜的過程，它包括:膜的形核、長大，膜與基底表面的相互作用等等。

近年來，真空鍍膜設(shè)備的薄膜制作還在基底上施加電場、磁場、離子束轟擊等輔助手段，其目的都是為了控制疑聚成膜的質(zhì)量和性能。根據(jù)成膜方法的基本原理,可以將其分為物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）和兼有物理和化學(xué)方法的等離子體增強化學(xué)氣相沉積法等。